一根内存半年涨 375%！三星、美光、SK 海力士遭集体诉讼，人为制造存储短缺收割消费者

接好运鸭

导语

近两年装机、换电脑、选购数码产品的用户都深有体会：内存条价格一路狂飙，不少人将涨价全部归咎于 AI 算力疯狂抢夺 HBM 内存产能。但一份美国联邦法院的集体诉讼，戳破了行业表面说辞 —— 三星、SK 海力士、美光三大 DRAM 巨头，被消费者指控协同削减传统内存产能、人为制造供需缺口，借 AI 风口操纵价格收割全球用户。曾经百元级的内存，半年价格暴涨 375%，这场涨价潮，远不止市场供需失衡那么简单。


一、行情现状：内存价格史诗级暴涨，半年涨幅达 375%

根据集邦咨询、线下电子市场监测数据，2025 年下半年至 2026 年上半年，消费级 DDR5 32GB 内存条价格从 800 元区间飙升至 3800 元，半年涨幅高达 375%；主流 16GB DDR4 普条从 200 元上涨至近 900 元，涨幅超 340%。
不止电脑内存，手机运存、SSD 固态硬盘、服务器内存同步全线涨价，华强北、百脑汇等线下市场出现 “上午报价下午作废” 的现象，DIY 装机成本直接翻倍，苹果、PC 整机厂商也被迫上调终端售价，成本压力全部转嫁至普通消费者。

市场普遍流传的解释是：AI 大模型、AI 服务器爆发，厂商全力生产高毛利 HBM 高带宽内存，挤压普通 DDR 产能，属于正常市场供需调整。但美国消费者集体诉讼给出了完全不同的核心结论：AI 只是完美遮羞布，三大寡头主动串通限产，人为制造缺货抬高利润。

二、重磅诉讼落地：三大存储巨头涉嫌垄断，违反美国反垄断法


2026 年 6 月 25 日，美国加州北区联邦法院正式受理集体反垄断诉讼（案号 5:2026cv06345），原告包含 14 名个人消费者、3 家小型电脑零售企业，被告覆盖三星、SK 海力士、美光及其美国本土子公司。
原告核心四大指控：

• 绝对寡头垄断格局：三星、SK 海力士、美光合计占据全球 DRAM 市场 95% 以上份额，行业建厂、芯片制造壁垒极高，无新厂商能入场竞争，天然具备联合控价条件；
• 同步协同削减传统产能：自 2022 年存储周期下行后，三家厂商近乎同步缩减 DDR3、DDR4 通用 DRAM 资本开支与晶圆产能，并非单独商业决策；
• 借 HBM 转型人为制造短缺：厂商将大量先进晶圆倾斜至 AI 专用 HBM，但减产传统 DDR 的幅度远超 HBM 产能占用需求，刻意压缩消费级内存供给；美光甚至直接关停旗下消费零售品牌英睿达，进一步收缩终端供货渠道；
• 历史前科佐证操纵模式：早在 2005 年，三家企业就曾因 DRAM 串谋抬价被美国司法部刑事处罚，合计罚款 7.31 亿美元，多名高管入狱，本次属于重复操纵市场行为。
  

原告认为，三家厂商并非被动承受 AI 需求冲击，而是主动利用 AI 风口，默契配合收紧供给，四年间传统 DRAM 整体价格暴涨约 700%，严重损害全球消费者与下游零售商利益，违反美国《谢尔曼反垄断法》，要求法院判定厂商赔偿损失并叫停限产抬价行为。

厂商方则当庭抗辩：调整产能生产高利润 HBM 是市场化自主经营选择，不存在书面或口头价格同盟，同步减产只是行业周期下的 “平行经营行为”，不属于非法垄断合谋。

三、深度拆解：AI 需求是表象，寡头逐利才是涨价核心逻辑


1. HBM 与普通 DRAM 利润差距悬殊


AI 服务器刚需 HBM 内存毛利率可达 70%-80%，而电脑、手机使用的普通 DDR 内存利润微薄。同样一片晶圆，生产 HBM 的收益是普通 DDR 的数倍，厂商天然有动力倾斜产能。
单颗 HBM 芯片占用晶圆面积是普通 DDR5 的 3 倍，每多生产一批 HBM，市场上就会减少大量消费级内存供货，形成严重 “产能虹吸效应”。

2. 主动控产锁价，吃透存储超级周期


2023-2024 年存储行业进入下行周期，三大厂商亏损严重；为快速扭亏，三家统一策略严控产能、降低库存，将行业库存压至 2-4 周历史低位，远低于健康库存区间，直接放大涨价幅度新华网。
叠加英伟达、谷歌、微软等 AI 企业提前锁单长协 HBM 产能至 2030 年，消费级内存短期很难分到新增晶圆，涨价行情被持续拉长。

3. 行业高度集中，缺乏竞争制衡


全球 DRAM 赛道仅三星、SK 海力士、美光三家头部玩家，不存在充分竞争。在无外部约束的环境下，厂商极易形成 “默契减产”，不用签订协议，只需同步调整产能，就能共同推高产品售价，分摊减产损失、共享涨价红利。

四、行业影响与普通消费者前景预判

• 诉讼短期难改变价格走势
  DRAM 反垄断诉讼完整流程普遍需要 3-7 年，中途大概率出现企业和解，短期内不会倒逼厂商大幅增加通用内存产能，高价行情机构预测至少持续至 2027 年，2028 年才有望明显缓解。
• 国产存储成打破垄断关键变量
  长鑫存储持续扩产 DDR 系列内存，是目前唯一能制衡海外三巨头的力量。国产存储产能释放后，将逐步稀释寡头定价权，缓解国内内存供给紧张局面。
• 普通用户购机、升级建议
• 刚需装机 / 升级：可按需选择容量，避免盲目囤货追高；
• 非刚需用户：建议观望，等待国产产能释放、行业供给回暖；
• 笔记本、手机选购：优先选择标配大内存版本，后期自行升级内存成本极高。
  

总结

很多人简单将内存暴涨归咎于 AI 抢产能，但这场横跨数年的涨价潮，背后是存储行业寡头垄断、协同控产逐利的商业算计。美国消费者发起的反垄断诉讼，第一次完整撕开行业 “AI 刚需” 的遮羞布，揭露厂商人为制造短缺、收割终端用户的事实。
在全球算力扩张的大背景下，HBM 需求增长属于客观趋势，但三大厂商借风口刻意挤压消费级内存供给、操纵价格的行为，已经触碰反垄断红线。短期内存高价格局难以逆转，而国产存储的突破，或将成为打破海外巨头垄断、平复内存价格的核心突破口。